上海新傲科技请求半导体衬底及其构成办法专利满意多种结构和功用的半导体器材制作需求
更新时间: 2025-01-09 发布者:华体网下载
金融界 2024 年 12 月 2 日音讯,国家知识产权局信息数据显现,上海新傲科技股份有限公司请求一项名为“半导体衬底及其构成办法”的专利,公开号 CN 119050045 A,请求日期为 2024 年 8 月。
专利摘要显现,本发明触及一种半导体衬底及其构成办法。所述半导体衬底的构成办法有如下过程:供给初始单晶硅衬底,所述初始单晶硅衬底包含相对散布的正面和反面;构成图画化的阻挡层于所述初始单晶硅衬底的正面上,所述阻挡层中具有露出所述初始单晶硅衬底的正面的沟槽;沿所述初始单晶硅衬底的正面注入氧离子至所述初始单晶硅衬底内,于所述初始单晶硅衬底内的部分区域构成埋氧化层,所述埋氧化层、所述埋氧化层正上方的所述初始单晶硅衬底和所述埋氧化层正下方的所述初始单晶硅衬底一起作为 SOI 结构。本发明使得仅在初始单晶硅衬底内的部分区域构成埋氧化层,以满意多种结构和功用的半导体器材的制作需求。
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